在小米将UFS 2.0成为“黑科技”的一天之后，三星正式推出了读写速度超群的256GB UFS 2.0颗粒。256GB是什么概念？想象一下，你的手机能储存47部全高清电影，这么大的容量似乎有些荒谬，但更吓人的是它的顺序读写速度碾压几乎所有台式SATA SSD两到三倍。

　　

　　据悉，新闪存芯片采用了V-NAND架构和一个特别设计的高性能控制器，以满足高端智能手机，尤其是超高清视频播放和大屏移动设备上的多任务处理功能要求。它可以分别处理每秒高达45,000/40,000次的输入/输出随机读写（IOPS）操作，该公司表示，它比它的上一代UFS存储的19000/14000 IOPS快两倍以上。

 

 

 

这速度符合了“通用闪存2.0”（UFS 2.0）规范，对于大多数智能机（甚至旗舰机）上所使用的UFS闪存来说，新标下的产品速度至少翻了一倍。得益于双链路数据传输方案，三星UFS 2.0 256GB新闪存能够达到850MB/s的顺序读取和260MB/s的顺序写入速度——拥有比SATA SSD更可观的速度表现。

 

撇开存储容量不谈，在如此高的速度下，未来高端智能机将能够执行更加繁重的多媒体回放和创建任务，多路2K/4K视频也是不在话下。

 

好奇的是，三星特别强调了新闪存比传统microSD更小、容量更大、速度约快三倍，此举或许很大程度上是在暗示OEM厂家们尽快在智能机上放弃速度拖了后腿的前者。

 

虽然Galaxy S7和S7 edge没能搭上256GB UFS 2.0闪存量产的顺风车，但Galaxy Note 6仍然有望在今年带给我们新的惊喜。此外，256GB ROM机型或许还会拥有6GB RAM。

 

三星在128GB一代UFS内存颗粒发布后一年才做这次迭代，很大程度是考虑到他家的最新旗舰智能机很快要推出了，此时的UFS 2.0及其控制器技术已经足够成熟，可以满足三星在智能手机上做密集计算的需求，达到SSD般的性能。而e.MMC会继续在低端机型上使用。

 

三星的选择是UFS 2.0，SanDisk公司则选择了另一条路——iNAND 7132，其中包括它自家的iNAND加速器、SmartSLC技术，采用e.MMC 5.0+ HS400规范。该iNAND的组成部分包括X3 TLC NAND芯片、控制器和固件，一般单颗容量64GB。像三星的128GB UFS内存颗粒一样，SanDisk的iNAND 7132被定义为支持高性能应用，如专业级数码摄影和4K超高清视频播放。

 

在iNAND 7132中，X3 NAND单元可以格式化为TLC+SLC，SLC区域具有高得多的写入速度；内存中一些过度配置的区域常被格式化为SLC。控制器和固件中的逻辑可以随时监控主机的请求，固件判断何时主机需要高性能，使器件来控制数据是否被写入到智能SLC或主阵列中。

 

SanDisk是在研究过其iNAND 7030的MLC顺序写入性能，和iNAND 5130的TLC顺序写入性能后，设计出这种存储方案的，他们发现大多数应用程序并没有把重点放在存储性能上，那些应用也包括摄影存储。

 

SanDisk发布具有其第二代SmartSLC技术的iNAND 7232，目的和三星发布最新的UFS一样：提升连续写入速度，让4K和UHD视频录制更流畅。iNAND 7232最高可有单颗128GB容量可供选择。